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FJP13009H2TU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 4 MHz, 100 W, 12 A, 8 RoHS Compliant: Yes
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| 500+ | $1.600 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFJP13009H2TU
No. Parte Newark47T5063
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor400V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua12A
Disipación de Potencia100W
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-220
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición4MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.8hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
100W
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
8hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400V
Corriente del Colector Continua
12A
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-220
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
4MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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WARNINGProposition 65