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FGH75T65SQDNL4
IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGH75T65SQDNL4
No. Parte Newark84AC6683
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.940 |
| 10+ | $9.010 |
| 25+ | $8.840 |
| 50+ | $8.670 |
| 100+ | $8.500 |
| 250+ | $8.330 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGH75T65SQDNL4
No. Parte Newark84AC6683
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua200
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.43
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia375
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
200
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.43
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
375
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
4Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto