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FGD5T120SH
IGBT, SINGLE, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-252-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGD5T120SH
No. Parte Newark84Y5829
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.730 |
| 10+ | $1.880 |
| 25+ | $1.720 |
| 50+ | $1.560 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGD5T120SH
No. Parte Newark84Y5829
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua10A
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.9V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia69W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
10A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.9V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
69W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FGD5T120SH
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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