Imprimir página
FDV305N
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV305N
No. Parte Newark
Hilado completo87X5260
Cinta adhesiva82C2601
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
25,697 En Inventario
¿Necesita más?
2503 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
5194 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.492 |
| 25+ | $0.294 |
| 50+ | $0.242 |
| 100+ | $0.190 |
| 250+ | $0.182 |
| 500+ | $0.173 |
| 1000+ | $0.160 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.092 |
| 6000+ | $0.089 |
| 12000+ | $0.088 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV305N
No. Parte Newark
Hilado completo87X5260
Cinta adhesiva82C2601
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id900mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.22ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd350mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDV305N es un MOSFET de canal N que utiliza un proceso PowerTrench® de alto voltaje. Ha sido optimizado para aplicaciones de protección de batería y interruptor de carga.
- Baja carga de compuerta
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
900mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0.22ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDV305N
2 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65