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FDV301N
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV301NCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo67R2086
Re-reeling (Rollos a medida)58K8856
Cinta adhesiva58K8856
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.228 | $0.23 |
| Total Precio | $0.23 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.228 |
| 25+ | $0.143 |
| 50+ | $0.118 |
| 100+ | $0.092 |
| 250+ | $0.081 |
| 500+ | $0.070 |
| 1000+ | $0.062 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 9000+ | $0.031 |
| 15000+ | $0.030 |
| 24000+ | $0.030 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDV301NCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo67R2086
Re-reeling (Rollos a medida)58K8856
Cinta adhesiva58K8856
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id220
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4
Resistencia de Activación Rds(on)3.1ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente850
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDV301N es un FET digital de modo de mejora de nivel lógico de canal N de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo cuenta con tecnología DMOS de alta densidad celular que ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior, este FET de un canal N puede reemplazar varios transistores digitales diferentes con diferentes valores de resistencia de polarización. FDV301N es adecuado para aplicaciones de administración de energía y bajo voltaje.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 25V
- Voltaje de compuerta a fuente de 8V
- Corriente continua de drenaje (Id) de 220mA
- Disipación de potencia (Pd) de 350mW
- Baja resistencia al estado de 3.1ohm a Vgs 4.5V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
350mW
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
220
Resistencia de Activación Rds(on)
3.1ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
850
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDV301N
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
