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FDT86113LZ
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | FDT86113LZCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo87AK5580 Re-reeling (Rollos a medida)88T3370RL Cinta adhesiva88T3370 |
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| Hoja de datos técnicos |
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.440 | $1.44 |
| Total Precio | $1.44 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.440 |
| 50+ | $0.683 |
| 100+ | $0.609 |
| 250+ | $0.544 |
| 500+ | $0.478 |
| 1000+ | $0.468 |
| 2500+ | $0.459 |
| 5000+ | $0.449 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.690 |
| 8000+ | $0.668 |
| 12000+ | $0.621 |
| 20000+ | $0.574 |
| 40000+ | $0.559 |
| 100000+ | $0.549 |
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Información del producto
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | FDT86113LZCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo87AK5580 Re-reeling (Rollos a medida)88T3370RL Cinta adhesiva88T3370 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 3.3A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.1ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.075ohm |
| Diseño de Transistor | SOT-223 |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 2.2W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 1.7V |
| Disipación de Potencia | 2.2W |
| No. de Pines | 4Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El FDT86113LZ es un MOSFET de nivel lógico de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ON y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Se ha agregado el G-S Zener para mejorar el nivel de voltaje ESD.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Probado UIL 100%
- Nivel de protección ESD típico de HBM de <lt/>gt /<gt/>3KV
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 3.3A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.075ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia | 2.2W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (25-Jun-2025) |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
|---|---|
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.1ohm |
| Diseño de Transistor | SOT-223 |
| Disipación de Potencia Pd | 2.2W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 1.7V |
| No. de Pines | 4Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDT86113LZ
1 producto (s) encontrado (s)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |