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FDT86113LZ
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT86113LZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5580
Re-reeling (Rollos a medida)88T3370RL
Cinta adhesiva88T3370
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.440 | $1.44 |
| Total Precio | $1.44 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.440 |
| 50+ | $0.683 |
| 100+ | $0.609 |
| 250+ | $0.544 |
| 500+ | $0.478 |
| 1000+ | $0.468 |
| 2500+ | $0.459 |
| 5000+ | $0.449 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.603 |
| 8000+ | $0.584 |
| 12000+ | $0.543 |
| 20000+ | $0.502 |
| 40000+ | $0.488 |
| 100000+ | $0.480 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT86113LZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5580
Re-reeling (Rollos a medida)88T3370RL
Cinta adhesiva88T3370
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id3.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd2.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia2.2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDT86113LZ es un MOSFET de nivel lógico de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ON y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Se ha agregado el G-S Zener para mejorar el nivel de voltaje ESD.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Probado UIL 100%
- Nivel de protección ESD típico de HBM de <lt/>gt /<gt/>3KV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.2W
Disipación de Potencia
2.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDT86113LZ
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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