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FDT86113LZ
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT86113LZ
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3370
Cinta adhesiva88T3370
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.118 | $0.12 |
| Total Precio | $0.12 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $1.520 | $0.118 |
| 10+ | $0.960 | $0.118 |
| 25+ | $0.853 | $0.118 |
| 50+ | $0.746 | $0.118 |
| 100+ | $0.639 | $0.118 |
| 250+ | $0.570 | $0.118 |
| 500+ | $0.501 | $0.118 |
| 1000+ | $0.456 | $0.118 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDT86113LZ
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3370
Cinta adhesiva88T3370
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id3.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2.2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia2.2
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDT86113LZ es un MOSFET de nivel lógico de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ON y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Se ha agregado el G-S Zener para mejorar el nivel de voltaje ESD.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Probado UIL 100%
- Nivel de protección ESD típico de HBM de <lt/>gt /<gt/>3KV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
2.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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