FDT439N

El FDT439N es un transistor de efecto de campo de modo de mejora especificado de 2.5V de canal N de 30V que se produce utilizando alta densidad de celda y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido y proporcionar un rendimiento de conmutación superior. Es muy adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente. UniFET™ MOSFET es una familia de MOSFET de alto voltaje basada en una banda plana avanzada y tecnología DMOS. Además, el diodo ESD de fuente de puerta interna permite que UniFET II MOSFET resista sobretensión de sobretensión HBM de más de 2kV. Esto es adecuado para cambiar aplicaciones de convertidor de potencia, como corrección del factor de potencia (PFC), alimentación de TV de pantalla plana (FPD), ATX y balastos de lámparas electrónicos. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

• Cambio de mejoras de pérdida
• Menor pérdida de conducción
• Probado avalancha 100%
• Energía almacenada más pequeña en características dinámicas
• Un rendimiento de carga de puerta más baja (Qg)
• Fiabilidad mejorada del sistema en PFC y topologías de conmutación suave