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FDS9926A
Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9926ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2082
Re-reeling (Rollos a medida)58M6643
Cinta adhesiva58M6643
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.900 | $4.50 |
| Total Precio | $4.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.900 |
| 10+ | $0.751 |
| 25+ | $0.675 |
| 50+ | $0.610 |
| 100+ | $0.535 |
| 250+ | $0.481 |
| 500+ | $0.399 |
| 1000+ | $0.386 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.270 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9926ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2082
Re-reeling (Rollos a medida)58M6643
Cinta adhesiva58M6643
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.025
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.025
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDS9926A
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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