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MOSFETs Dobles :
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Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
=0.025
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| Comparar | No. De parte del fabricante | Código de Orden | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio | Quantity | Tipo de Canal | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Intensidad Drenador Continua Id | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | Diseño de Transistor | No. de Pines | Disipación de Potencia de Canal N | Disipación de Potencia de Canal P | Temperatura de Trabajo Máx. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$0.604 10+$0.464 25+$0.386 50+$0.323 100+$0.272 Más precios… | N and P Channel | 20 | 0 | 0 | 20 | 4 | 4 | 0.025 | 0.025 | UDFN | 6Pines | 1 | 1 | 150 | ||||||
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 100+$0.477 | Canal complementario N y P | 20 | 20V | 6.5A | 20 | 6.5 | 6.5 | 0.025 | 0.025 | SOIC | 8Pines | 2 | 2 | 150 | ||||||
