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FDS9431A
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9431A
No. Parte Newark
Hilado completo67R2081
Cinta adhesiva38C7184
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Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.280 |
| 10+ | $0.842 |
| 25+ | $0.758 |
| 50+ | $0.674 |
| 100+ | $0.590 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.452 |
| 3000+ | $0.444 |
| 6000+ | $0.418 |
| 12000+ | $0.398 |
| 18000+ | $0.378 |
| 30000+ | $0.366 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS9431A
No. Parte Newark
Hilado completo67R2081
Cinta adhesiva38C7184
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.13
Resistencia de Activación Rds(on)0.13ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDS9431A
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El FDS9431A es un MOSFET de canal P especificado de 2.5V producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del estado ON y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para convertidor CD a CD, interruptor de carga y protección de batería.
- Alta velocidad de conmutación
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.13
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.13ohm
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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