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FDS8858CZ
MOSFET, ONSEMI FDS8858CZ
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| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | FDS8858CZCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 22 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo87X5253 Re-reeling (Rollos a medida)61M6333RL Cinta adhesiva61M6333 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.590 | $1.59 |
| Total Precio | $1.59 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 50+ | $0.749 |
| 100+ | $0.667 |
| 250+ | $0.595 |
| 500+ | $0.523 |
| 1000+ | $0.513 |
| 2500+ | $0.502 |
| 5000+ | $0.492 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.608 |
| 5000+ | $0.589 |
| 7500+ | $0.547 |
| 12500+ | $0.506 |
| 25000+ | $0.492 |
| 62500+ | $0.484 |
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Información del producto
| Fabricante | ONSEMI |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | FDS8858CZCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 22 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo87X5253 Re-reeling (Rollos a medida)61M6333RL Cinta adhesiva61M6333 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Complementary N and P Channel |
| Intensidad Drenador Continua Id | 0 |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | 30V |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | 30V |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 0 |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | 8.6A |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | 8.6A |
| Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | 0.017ohm |
| Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | 0.017ohm |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| No. de Pines | 8Pines |
| Disipación de Potencia de Canal N | 2W |
| Disipación de Potencia de Canal P | 2W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Complementary N and P Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | 30V |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 0 |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | 8.6A |
| Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | 0.017ohm |
| No. de Pines | 8Pines |
| Disipación de Potencia de Canal P | 2W |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Intensidad Drenador Continua Id | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | 30V |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | 8.6A |
| Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | 0.017ohm |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Disipación de Potencia de Canal N | 2W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS8858CZ
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |