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FDS86540
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS86540
No. Parte Newark55W4091
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.180 |
| 10+ | $2.780 |
| 25+ | $2.530 |
| 50+ | $2.280 |
| 100+ | $2.030 |
| 250+ | $1.960 |
| 500+ | $1.870 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS86540
No. Parte Newark55W4091
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FDS86540 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON), fast switching speed and body diode reverse recovery performance. It is suitable for synchronous rectifier and load switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3700µohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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