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FDS86141
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS86141
No. Parte Newark88T3361
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS86141
No. Parte Newark88T3361
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS86141 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench™. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior.
- Perfil bajo
- Probado UIL 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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