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FDS8447
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8447
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)67P3490
Cinta adhesiva67P3490
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.200 | $1.20 |
| Total Precio | $1.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.200 |
| 10+ | $0.764 |
| 25+ | $0.711 |
| 50+ | $0.658 |
| 100+ | $0.605 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8447
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)67P3490
Cinta adhesiva67P3490
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id12.8
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0105
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FDS8447 is a single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0105
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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