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FDS8447
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8447Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)67P3490
Cinta adhesiva67P3490
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.200 | $1.20 |
| Total Precio | $1.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.200 |
| 10+ | $0.764 |
| 25+ | $0.711 |
| 50+ | $0.658 |
| 100+ | $0.605 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8447Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)67P3490
Cinta adhesiva67P3490
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id12.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0105
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FDS8447 is a single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0105
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDS8447
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto