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FDS2672
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 3.9 A, 70 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante47 semanas
No. Parte Newark20M1182
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 47 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.200 |
| 5000+ | $1.180 |
| 7500+ | $1.150 |
| 12500+ | $1.130 |
| 25000+ | $1.100 |
| 62500+ | $1.080 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$3,000.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS2672Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante47 semanas
No. Parte Newark20M1182
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id3.9
Resistencia de Activación Rds(on)0.059ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS2672 es un MOSFET de canal N único producido mediante el proceso avanzado UItraFET Trench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.059ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDS2672
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto