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FDS2672
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 3.9 A, 70 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS2672
No. Parte Newark31Y1388
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.910 |
| 10+ | $2.070 |
| 25+ | $1.860 |
| 50+ | $1.660 |
| 100+ | $1.450 |
| 250+ | $1.370 |
| 500+ | $1.290 |
| 1000+ | $1.280 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS2672
No. Parte Newark31Y1388
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id3.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3.9
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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