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FDPF33N25T
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220F, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDPF33N25TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark34M6118
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $2.580 |
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| 500+ | $1.640 |
| 1000+ | $1.610 |
| 2500+ | $1.570 |
| 5000+ | $1.540 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDPF33N25TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark34M6118
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.094
Resistencia de Activación Rds(on)0.094ohm
Diseño de TransistorTO-220F
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd94W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia94
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDPF33N25T es un MOSFET de alto voltaje UniFET™ producido en base a banda plana y tecnología DMOS. Está diseñado para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un mejor rendimiento de conmutación y una mayor fuerza de energía de avalancha. Esta familia de dispositivos es adecuada para cambiar aplicaciones de convertidor de potencia, como corrección de factor de potencia (PFC), alimentación de TV de pantalla plana (FPD), ATX y balastos electrónicos para lámparas.
- 100% prueba de avalancha
- 36.8nC carga baja típica de la puerta
- 39pF Cruce bajo típico
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia de Activación Rds(on)
0.094ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
94W
Disipación de Potencia
94
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.094
Diseño de Transistor
TO-220F
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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