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FDN5618P
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN5618P
No. Parte Newark58K8844
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.700 |
| 25+ | $0.435 |
| 50+ | $0.356 |
| 100+ | $0.278 |
| 250+ | $0.245 |
| 500+ | $0.211 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.187 |
| 6000+ | $0.163 |
| 12000+ | $0.145 |
| 18000+ | $0.134 |
| 30000+ | $0.122 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN5618P
No. Parte Newark58K8844
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id1.25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.17
Resistencia de Activación Rds(on)0.17ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDN5618P es un MOSFET powerTrench de nivel lógico de canal P de 60 V de montaje en superficie en paquete superSOT-23. El proceso PowerTrench se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para convertidores CD-CD, interruptores de carga y aplicaciones de administración de energía.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para Rds (ON) extremadamente bajos
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de -1.25A
- Disipación de potencia (Pd) de 500mW
- Baja resistencia de estado encenddo de 185mohm a Vgs -4.5V
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.17
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.17ohm
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDN5618P
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65