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FDN5618P
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN5618PCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo67R2065
Re-reeling (Rollos a medida)58K8844
Cinta adhesiva58K8844
Su número de pieza
57,355 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.113 | $0.11 |
| Total Precio | $0.11 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $0.113 | $0.113 |
| 25+ | $0.000 | $0.113 |
| 50+ | $0.000 | $0.113 |
| 100+ | $0.000 | $0.113 |
| 250+ | $0.000 | $0.113 |
| 500+ | $0.000 | $0.113 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.196 |
| 6000+ | $0.171 |
| 12000+ | $0.152 |
| 18000+ | $0.141 |
| 30000+ | $0.128 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN5618PCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo67R2065
Re-reeling (Rollos a medida)58K8844
Cinta adhesiva58K8844
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id1.25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.17
Resistencia de Activación Rds(on)0.17ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd500mW
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDN5618P es un MOSFET powerTrench de nivel lógico de canal P de 60 V de montaje en superficie en paquete superSOT-23. El proceso PowerTrench se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para convertidores CD-CD, interruptores de carga y aplicaciones de administración de energía.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para Rds (ON) extremadamente bajos
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de -1.25A
- Disipación de potencia (Pd) de 500mW
- Baja resistencia de estado encenddo de 185mohm a Vgs -4.5V
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.17
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.17ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDN5618P
1 producto (s) encontrado (s)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
