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FDN358P
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN358PCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K8843
Cinta adhesiva58K8843
Su número de pieza
72,000 En Inventario
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.216 | $648.00 |
| Total Precio | $648.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.216 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN358PCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K8843
Cinta adhesiva58K8843
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id1.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd560mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Disipación de Potencia560
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 4nC Typical low gate charge
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
560mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
560
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN358P
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto