Imprimir página
FDN352AP
MOSFET, P-CH, 30V, 1.3A, SUPERSOT
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN352AP
No. Parte Newark
Hilado completo67R2062
Re-reeling (Rollos a medida)58M6632
Cinta adhesiva58M6632
Su número de pieza
67,518 En Inventario
¿Necesita más?
513 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
67005 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.731 | $0.73 |
| Total Precio | $0.73 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.731 |
| 10+ | $0.452 |
| 25+ | $0.399 |
| 50+ | $0.344 |
| 100+ | $0.290 |
| 250+ | $0.255 |
| 500+ | $0.220 |
| 1000+ | $0.198 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.162 |
| 6000+ | $0.155 |
| 12000+ | $0.147 |
| 18000+ | $0.139 |
| 30000+ | $0.130 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN352AP
No. Parte Newark
Hilado completo67R2062
Re-reeling (Rollos a medida)58M6632
Cinta adhesiva58M6632
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id1.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
SuperSOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN352AP
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto