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FDN352AP
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN352APCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark67R2062
Su número de pieza
111,000 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.149 |
| 6000+ | $0.147 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$447.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN352APCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark67R2062
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id1.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDN352AP es un MOSFET de nivel lógico de canal P producido mediante el proceso avanzado Power Trench® que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado encendido y, al mismo tiempo, mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es muy adecuado para aplicaciones de baja tensión y con batería, donde se necesita una baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.
- Tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (encendido)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Disipación de Potencia Pd
500mW
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto