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FDN337N
MOSFET Transistor, N Channel, 2.2 A, 30 V, 65 mohm, 4.5 V, 700 mV RoHS Compliant: Yes
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN337N
No. Parte Newark
Hilado completo96W6883
Re-reeling (Rollos a medida)25M9458
Cinta adhesiva25M9458
Su número de pieza
74,901 En Inventario
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Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.865 | $0.86 |
| Total Precio | $0.86 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.865 |
| 25+ | $0.536 |
| 50+ | $0.442 |
| 100+ | $0.347 |
| 250+ | $0.307 |
| 500+ | $0.266 |
| 1000+ | $0.240 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.197 |
| 6000+ | $0.188 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN337N
No. Parte Newark
Hilado completo96W6883
Re-reeling (Rollos a medida)25M9458
Cinta adhesiva25M9458
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDN337N
3 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
