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FDN335N
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.7 A, 70 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN335NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2057
Re-reeling (Rollos a medida)58K1462RL
Cinta adhesiva58K1462
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.897 | $0.90 |
| Total Precio | $0.90 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.897 |
| 50+ | $0.404 |
| 100+ | $0.355 |
| 250+ | $0.312 |
| 500+ | $0.269 |
| 1000+ | $0.264 |
| 2500+ | $0.258 |
| 5000+ | $0.253 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.207 |
| 6000+ | $0.195 |
| 9000+ | $0.170 |
| 15000+ | $0.152 |
| 30000+ | $0.140 |
| 75000+ | $0.128 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN335NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2057
Re-reeling (Rollos a medida)58K1462RL
Cinta adhesiva58K1462
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDN335N es un MOSFET especificado de 2.5V de canal N que utiliza un avanzado proceso PowerTrench® que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior.
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Disipación de Potencia Pd
500mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN335N
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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