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FDMS86300DC
MOSFET Transistor, N Channel, 76 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3.3 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS86300DC
No. Parte Newark95W3166
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.220 |
| 10+ | $2.310 |
| 25+ | $2.050 |
| 50+ | $1.800 |
| 100+ | $1.550 |
| 250+ | $1.510 |
| 500+ | $1.470 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS86300DC
No. Parte Newark95W3166
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id76A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2600µohm
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.3V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Power 56
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
76A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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