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FDMS86200
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 49 A, 0.018 ohm, Power 56, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.580 |
| 10+ | $2.330 |
| 100+ | $1.630 |
| 500+ | $1.320 |
| 1000+ | $1.310 |
| 2500+ | $1.280 |
| 5000+ | $1.260 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark88T3341
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id49
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
49
Diseño de Transistor
Power 56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDMS86200
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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