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FDMS86183
MOSFET, N-CH, 100V, 51A, POWER 56
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS86183
No. Parte Newark18AC7316
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.850 |
| 10+ | $1.350 |
| 25+ | $1.180 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.858 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS86183
No. Parte Newark18AC7316
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id51
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9900µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0099ohm
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd63W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia63
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9900µohm
Diseño de Transistor
Power 56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
51
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0099ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
63W
Disipación de Potencia
63
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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