Imprimir página
FDMS86104
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS86104Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4957
Re-reeling (Rollos a medida)88T3339RL
Cinta adhesiva88T3339
Su número de pieza
440 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $4.130 | $20.65 |
| Total Precio | $20.65 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $4.130 |
| 10+ | $2.840 |
| 15+ | $2.660 |
| 25+ | $2.470 |
| 50+ | $2.290 |
| 125+ | $2.110 |
| 250+ | $2.070 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.740 |
| 6000+ | $1.660 |
| 9000+ | $1.590 |
| 15000+ | $1.470 |
| 30000+ | $1.430 |
| 75000+ | $1.390 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS86104Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4957
Re-reeling (Rollos a medida)88T3339RL
Cinta adhesiva88T3339
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id16A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd73W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9V
Disipación de Potencia73W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMS86104 es un MOSFET de canal N que se produce mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior.
- Tecnología MOSFET de puerta blindada
- Paquete avanzado y combinación de silicio para bajo RDS (ON) y alta eficiencia
- Diseño de paquete robusto MSL1
- Probado UIL 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
73W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Diseño de Transistor
Power 56
Disipación de Potencia Pd
73W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto