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FDMS7670
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 42 A, 0.0029 ohm, Power 56, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS7670Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark84W8863
Su número de pieza
18,000 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.631 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,893.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS7670Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark84W8863
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia de Activación Rds(on)0.0029ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0029
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd62W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Diseño de TransistorPower 56
Disipación de Potencia62
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0029ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
62W
Diseño de Transistor
Power 56
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0029
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
Disipación de Potencia
62
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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