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FDMQ8403
MOSFET Dual, Canal N Cuádruple, 100 V, 6 A, 0.11 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMQ8403Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3924
Cinta adhesiva07AH3924
Rango de ProductoPowerTrench GreenBridge Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.950 | $4.95 |
| Total Precio | $4.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.950 |
| 10+ | $3.110 |
| 25+ | $2.860 |
| 50+ | $2.610 |
| 100+ | $2.360 |
| 250+ | $2.200 |
| 500+ | $2.040 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMQ8403Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3924
Cinta adhesiva07AH3924
Rango de ProductoPowerTrench GreenBridge Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalQuad N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.11
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorWDFN
No. de Pines12Pines
Disipación de Potencia de Canal N17
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPowerTrench GreenBridge Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
FDMQ8403 is a MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH®,Greenbridge™ series of high-efficiency bridge rectifier. This quad MOSFET solution provides ten−fold improvement in power dissipation over diode bridge. Application includes high efficiency bridge rectifiers.
- 85mohm typical static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 3A)
- Substantial efficiency benefit in PD solutions
- Gate to source voltage is ±20V, 1nA maximum zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 80V)
- 2.8V typical drain to source breakdown voltage (VGS = VDS, ID = 250µA)
- 6S typical forward transconductance (VDS = 10V, ID = 3A)
- 4.1ns typical turn on delay time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 1.2ns typical rise time (VDD = 50V, ID = 3A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 0.9nC typical gate to source charge (VDD = 50V, ID = 3A)
- 33ns typical reverse recovery time (IF = 3A, di/dt = 100 A/µs)
- WDFN12 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Quad N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
12Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
PowerTrench GreenBridge Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.11
Diseño de Transistor
WDFN
Disipación de Potencia de Canal N
17
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto