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FDMC8882
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Montaje Superficial
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| 50+ | $0.546 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC8882
No. Parte Newark88T3285
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id16A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0124ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0124ohm
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd18W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia18W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDMC8882 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del estado ON. Es muy adecuado para aplicaciones de conmutación de carga comunes en paquetes de baterías po
- Tecnología de alto rendimiento para RDS (ON) extremadamente bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0124ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
18W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0124ohm
Diseño de Transistor
MLP
Disipación de Potencia Pd
18W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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