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FDMC86240
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC86240
No. Parte Newark88T3281
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0447
Resistencia de Activación Rds(on)0.0447ohm
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia40
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0447ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
40W
Disipación de Potencia
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0447
Diseño de Transistor
MLP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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