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FDMC6675BZ
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 20 A, 0.0107 ohm, MLP, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC6675BZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85W3143
Cinta adhesiva85W3143
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.663 | $1,989.00 |
| Total Precio | $1,989.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.663 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC6675BZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85W3143
Cinta adhesiva85W3143
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0107
Resistencia de Activación Rds(on)0.0107ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd36W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorMLP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Disipación de Potencia36
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMC6675BZ es un MOSFET de canal P producido mediante el proceso PowerTrench® de Fairchild Semiconductor. Está diseñado para minimizar las pérdidas en aplicaciones de interruptores de carga. Los avances en las tecnologías de paquete y silicio se han combinado para ofrecer la protección RDS (ON) y ESD más baja. Es adecuado para aplicaciones de interruptores de carga y paquetes de baterías.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- 8kV Nivel de protección ESD típico de HBM
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0107
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0107ohm
Disipación de Potencia Pd
36W
Diseño de Transistor
MLP
Disipación de Potencia
36
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDMC6675BZ
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto