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FDMC510P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 18 A, 0.008 ohm, MLP, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC510P
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)55T6319
Cinta adhesiva55T6319
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.990 | $14.95 |
| Total Precio | $14.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.990 |
| 10+ | $1.940 |
| 25+ | $1.740 |
| 50+ | $1.530 |
| 100+ | $1.340 |
| 250+ | $1.230 |
| 500+ | $1.110 |
| 1000+ | $1.100 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC510P
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)55T6319
Cinta adhesiva55T6319
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia de Activación Rds(on)0.0064ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.008
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)-4.5
Disipación de Potencia Pd41W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-500
Disipación de Potencia41
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMC510P es un MOSFET de canal P producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Es adecuado para aplicaciones de gestión de baterías y de conmutación de carga.
- Tecnología de zanja de alto - rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Probado UIL 100%
- Nivel de protección ESD típico de HBM de 2kV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0064ohm
Diseño de Transistor
MLP
Voltaje de Prueba Rds(on)
-4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-500
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.008
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
41W
Disipación de Potencia
41
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDMC510P
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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