Imprimir página
FDMA507PZ
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 7.8 A, 0.024 ohm, MicroFET, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 43 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.320 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$960.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMA507PZ
No. Parte Newark92R5529
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id7.8
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.4W
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Diseño de TransistorMicroFET
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia2.4
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDMA507PZ es un MOSFET canal-P sencillo producido por el proceso PowerTrench® Está diseñado específicamente para la carga de la batería o la conmutación de carga en teléfonos celulares y otras aplicaciones ultraportátiles. Cuenta con un MOSFET con baja resistencia en estado ENCENDIDO. El paquete MicroFET 2X2 ofrece un rendimiento térmico excepcional para su tamaño físico y es muy adecuado para aplicaciones de modo lineal.
- Libre de halógenos
- Nivel de protección ESD típico de HBM de 3.2kV
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Disipación de Potencia Pd
2.4W
Diseño de Transistor
MicroFET
Disipación de Potencia
2.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDMA507PZ
3 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto