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FDG8850NZ
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDG8850NZ
No. Parte Newark25R7490
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Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 250+ | $0.363 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,089.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDG8850NZ
No. Parte Newark25R7490
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id750mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N750
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.25
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N360
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Resumen del producto
The FDG8850NZ is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very small package outline
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- ±12V Gate to source voltage
- 0.75A Continuous drain current
- 2.2A Pulsed drain current
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
750mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
750
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.25
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65