FDG6322C
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.213 |
| 6000+ | $0.206 |
| 12000+ | $0.199 |
| 18000+ | $0.190 |
| 30000+ | $0.181 |
Información del producto
Resumen del producto
El FDG6322C es un MOSFET de modo de mejora de nivel lógico de canal N/P dual con alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Este dispositivo ha sido diseñado especialmente para aplicaciones de baja tensión como reemplazo de transistores digitales bipolares y MOSFET de pequeña señal. Dado que no se requieren resistencias de polarización, este FET digital dual puede reemplazar varios transistores digitales diferentes, con diferentes valores de resistencia de polarización.
- Esquema de paquete muy pequeño
- Requisitos de accionamiento de compuerta de muy bajo nivel que permiten la operación directa en circuitos de 3V (VGS (th) <lt/>lt /<gt/> 1.5V)
- Compuerta-fuente Zener para robustez ESD
Especificaciones técnicas
Canal complementario N y P
25V
25V
220mA
2.6ohm
6Pines
300mW
-
MSL 1 - Unlimited
220mA
25V
220mA
2.6ohm
SC-70
300mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDG6322C
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65