FDG6321C
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 25 V, 25 V, 500 mA, 500 mA, 0.45 ohm
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.602 |
| 6000+ | $0.504 |
| 9000+ | $0.452 |
| 15000+ | $0.410 |
| 30000+ | $0.360 |
| 75000+ | $0.324 |
| 150000+ | $0.269 |
Información del producto
Resumen del producto
El FDG6321C es un MOSFET de modo de mejora de nivel lógico de canal N/P dual con alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Este dispositivo ha sido diseñado especialmente para aplicaciones de baja tensión como reemplazo de transistores digitales bipolares y MOSFET de pequeña señal. Dado que no se requieren resistencias de polarización, este FET digital dual puede reemplazar varios transistores digitales diferentes, con diferentes valores de resistencia de polarización.
- Esquema de paquete muy pequeño
- Requisitos de accionamiento de compuerta de muy bajo nivel que permiten la operación directa en circuitos de 3V (VGS (th) <lt/>lt /<gt/> 1.5V)
- Compuerta-fuente Zener para robustez ESD
Especificaciones técnicas
Canal complementario N y P
500mA
25
500
0.45
6Pines
300
-
MSL 1 - Unlimited
25
25V
500
0.45
SC-70
300
150
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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