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FDG6301N
MOSFET Dual, Canal N, 25 V, 220 mA, 4 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDG6301NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2047
Cinta adhesiva58K8834
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.684 | $2,052.00 |
| Total Precio | $2,052.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.684 |
| 9000+ | $0.537 |
| 15000+ | $0.455 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.248 |
| 9000+ | $0.237 |
| 15000+ | $0.213 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDG6301NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2047
Cinta adhesiva58K8834
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25
Intensidad Drenador Continua Id220mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N300
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El FDG6301N es un FET digital de modo de mejora de nivel lógico de doble canal N con alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Ha sido diseñado especialmente para aplicaciones de baja tensión como reemplazo de transistores digitales bipolares y MOSFET de señales pequeñas.
- Requisitos de accionamiento de compuerta de muy bajo nivel que permiten la operación directa en circuitos de 3V (VGS (th) <lt/>lt /<gt/> 1.5V)
- Puerta-fuente Zener para robustez ESD (modelo de cuerpo humano <gt/>6kV)
- Paquete compacto de montaje en superficie estándar de la industria
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
220mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
4
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto