Imprimir página
FDD86102
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD86102Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3247RL
Cinta adhesiva88T3247
Su número de pieza
2,194 En Inventario
17,552 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.820 | $2.82 |
| Total Precio | $2.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.820 |
| 10+ | $1.810 |
| 25+ | $1.630 |
| 50+ | $1.430 |
| 100+ | $1.250 |
| 250+ | $1.120 |
| 500+ | $0.998 |
| 1000+ | $0.928 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD86102Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3247RL
Cinta adhesiva88T3247
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd62W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1
Disipación de Potencia62
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDD86102 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Qg y Qgd muy bajos en comparación con las tecnologías Trench de la competencia
- Alta velocidad de conmutación
- Probado UIL 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
62W
Disipación de Potencia
62
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDD86102
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto