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FDD86102
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 36A, TO252
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD86102
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3247
Cinta adhesiva88T3247
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.760 | $2.76 |
| Total Precio | $2.76 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.760 |
| 10+ | $1.880 |
| 25+ | $1.710 |
| 50+ | $1.550 |
| 100+ | $1.380 |
| 250+ | $1.270 |
| 500+ | $1.160 |
| 1000+ | $1.140 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD86102
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3247
Cinta adhesiva88T3247
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd62W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia62W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDD86102 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Qg y Qgd muy bajos en comparación con las tecnologías Trench de la competencia
- Alta velocidad de conmutación
- Probado UIL 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
62W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
62W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDD86102
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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