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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8447L
No. Parte Newark87X8729
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $0.864 |
| 25+ | $0.781 |
| 50+ | $0.699 |
| 100+ | $0.616 |
| 250+ | $0.560 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.418 |
| 5000+ | $0.415 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8447L
No. Parte Newark87X8729
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8500µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia44W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
44W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDD8447L
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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