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FDD6N25TM
MOSFET, N-CH, 250V, 4.4A, TO-252AA-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD6N25TM
No. Parte Newark31Y1358
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD6N25TM
No. Parte Newark31Y1358
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id4.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.9ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.9
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2022)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.9ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.9
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
50W
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2022)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto