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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD5614PCopiar
No. Parte Newark82C2455
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id15A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia42W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDD5614P es un MOSFET de canal P que utiliza el proceso PowerTrench® de alto voltaje, velocidad de conmutación rápida y tecnología de trinchera de alto rendimiento para RDS (ON) extremadamente bajo.
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
15A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
42W
Disipación de Potencia
42W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
