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FDD4243
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 6.7 A, 44 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD4243Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo04X6250
Re-reeling (Rollos a medida)67P3462
Cinta adhesiva67P3462
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Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.410 | $1.41 |
| Total Precio | $1.41 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.410 |
| 10+ | $0.891 |
| 25+ | $0.787 |
| 50+ | $0.683 |
| 100+ | $0.579 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.346 |
| 5000+ | $0.319 |
| 10000+ | $0.299 |
| 15000+ | $0.278 |
| 25000+ | $0.266 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD4243Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo04X6250
Re-reeling (Rollos a medida)67P3462
Cinta adhesiva67P3462
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id6.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Resistencia de Activación Rds(on)0.036ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia3
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The FDD4243 is a P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary PowerTrench® technology to deliver low RDS (ON) and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.036ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3W
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDD4243
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto