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FDD3706
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3706Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1355RL
Cinta adhesiva31Y1355
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Re-reeling (Rollos a medida)31Y1355RL
Cinta adhesiva31Y1355
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0075ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd44W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia44
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7500µohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0075ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
44W
Disipación de Potencia
44
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (19-Jan-2021)
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