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FDD3682
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3682Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5577
Re-reeling (Rollos a medida)61M6218RL
Cinta adhesiva61M6218
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.040 | $10.20 |
| Total Precio | $10.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.040 |
| 10+ | $1.360 |
| 15+ | $1.260 |
| 25+ | $1.170 |
| 50+ | $1.070 |
| 125+ | $0.969 |
| 250+ | $0.950 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.726 |
| 3000+ | $0.703 |
| 6000+ | $0.653 |
| 12000+ | $0.604 |
| 18000+ | $0.587 |
| 30000+ | $0.578 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3682Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5577
Re-reeling (Rollos a medida)61M6218RL
Cinta adhesiva61M6218
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id32A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia95W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FDD3682 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in high voltage synchronous rectification, DC-to-DC converters and off-line UPS application.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
- AEC-Q101 qualified
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
32A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
95W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDD3682
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
